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本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供一种适用于半导体装置的氧化物半导体。或者，本发明的另一个目的在于提供一种使用该氧化物半导体的半导体装置。公开的半导体装置在晶体管的沟道形成区域中包括In-Ga-Zn-O基氧化物半导体层。在所述...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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