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本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体基体；第二半导体基体，结合在第一半导体基体的第一表面侧上；贯通电极，形成为从第一半导体基体的第二表面侧贯通至第二半导体基体上的配线层；以及，绝缘层，围绕第一半导体基体内形成的贯通电极的周界。...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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