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本发明公开了一种基于La基栅的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决传统材料介电常数较小，导致栅电容对器件沟道电荷的控制力较弱，对器件跨导的负面影响较强，栅极击穿电压低的问题。其技术方案是改进传统MOS-HEMT中栅介质材...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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