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本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括：在基板上通过构图工艺形成包括栅极的图案的第一金属层；在上述基板及第一金属层上形成栅极绝缘层，在薄膜晶体管区域的栅极绝缘层上形成正投影于所述栅极的氧化物半导体层以及位于氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层；...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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