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本发明涉及一种控制单晶黑边的生产工艺方法，包括硅料分检工序、硅料清洗工序、硅成炉料配制工序、拉晶工序和冷却工序，其特征在于：硅料的电阻率大于0.5Ω*cm，寿命高于2μS，碳含量小于2e17atom/cc；硅料的直径大于0.5mm，在拉晶工...
该专利属于宁晋松宫电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁晋松宫电子材料有限公司授权不得商用。

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