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本发明涉及半导体装置，具体提供了保持电势达较长时间且含有具稳定电特性的薄膜晶体管的固态图像传感器。当含有氧化物半导体层的薄膜晶体管的截止态电流被设置为1×10-13A或更少且该薄膜晶体管被用作固态图像传感器的重置晶体管和转移晶体管时，信号电...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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