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本发明公开了一种LED芯片的外延结构及其生长方法，其中，所述外延结构依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、量子阱层、P型GaN层、接触层，其特征在于，所述量子阱层包括势阱层和GaN势垒层，所述势阱层包括InxGa(1-x...
该专利属于聚灿光电科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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