下载在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法的技术资料

文档序号:11113780

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本发明公开一种在横磁电磁场模式下抑制介质表面二次电子倍增的方法,所述方法包括:根据二次电子发射产额曲线的第一交叉点,确定磁场的回旋频率,二次电子发射产额曲线由介质表面材料确定;根据磁场的回旋频率,在介质表面施加磁场,介质表面为周期性介质表面...
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