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包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件制造技术
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下载包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件的技术资料
文档序号:11095145
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本发明提供膜,其包括至少两个层,层A和层B;且其中层(A)由组合物A形成,所述组合物A包含至少一种有机金属化合物、和至少一种选自下列A至C的化合物,其中层B由组合物B形成,该组合物B包含至少一种“HTL化合物”;且其中层A与层B不邻接。...
该专利属于陶氏环球技术有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过陶氏环球技术有限责任公司授权不得商用。
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