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本发明为一种采用微波离子源产生并加速氘离子,利用氘氘(氘氚)反应产生强流中子的装置。氢吸收能力很强的固体安装在低温冷却靶上面,微波离子源将氘电离,然后加速到很高的能量打到靶上,打到靶上的高能离子与吸附在靶上的氘发生反应,产生中子。本发明与目...该专利属于常州博锐恒电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过常州博锐恒电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明为一种采用微波离子源产生并加速氘离子,利用氘氘(氘氚)反应产生强流中子的装置。氢吸收能力很强的固体安装在低温冷却靶上面,微波离子源将氘电离,然后加速到很高的能量打到靶上,打到靶上的高能离子与吸附在靶上的氘发生反应,产生中子。本发明与目...