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本发明公开了一种在Si衬底上选择性生长GaN基薄膜材料的方法，它包括如下步骤：提供Si（111）衬底并在其上沉积SiO2介质膜；将所述SiO2介质膜制成线宽为微米数量级的图形，以使所述衬底被分割成一定尺寸的分立的生长平台；将所述衬底放入MO...
该专利属于南昌大学;南昌黄绿照明有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学;南昌黄绿照明有限公司授权不得商用。

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