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本发明的目的在于提供一种湿法刻蚀装置，具有：半导体加工件衬底、处理腔、衬底承载单元、刻蚀液体、喷淋单元、驱动装置、刻蚀液体供应单元、刻蚀液体排出单元、生成电极腔和回收电极腔。本发明提供的湿法刻蚀装置可以原位再生刻蚀液体中的高价位金属阳离子与...
该专利属于马悦;何川;施广涛;黄允文;顾岩;阳诗友所有，仅供学习研究参考，未经过马悦;何川;施广涛;黄允文;顾岩;阳诗友授权不得商用。

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