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一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区，半导体衬底区，位于沟道区上方的栅介质层，以及位于栅介质层之上的控制栅；所述的沟道区位于隧穿源区上方且位置与隧穿源区部分重叠，在沟道区与隧穿源区界面处形成隧穿结；所述漏区与...
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