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本发明提供了一种呈现出改进的发射输出的第III族氮化物半导体发光器件。该发光器件包括：其上形成有n电极的n型接触层、发光层、形成在发光层与n型接触层之间的n型覆层。n型覆层具有至少两层的结构，所述至少两层包括与发光层较近的第一n型覆层和相比...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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