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本发明提供一种发光二极管及其制造方法，所述制造方法包括：1）提供一生长衬底，于所述生长衬底表面形成至少包括N型层、量子阱层及P型层的发光外延结构；2）去除部分的P型层、量子阱层及N型层形成N电极制备区域以及去除部分的P型层、量子阱层及N型层...
该专利属于上海蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海蓝光科技有限公司授权不得商用。

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