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本发明一般涉及高端、低端MOSFET集成控制IC的功率控制器件。功率控制器件包括：一芯片安装单元和一控制芯片及第一、第二芯片，该芯片安装单元包括一基座和基座附近的第一、第二引脚及第一、第二排承载引脚，第一、第二芯片均安装在基座之上，控制芯片...
该专利属于万国半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过万国半导体股份有限公司授权不得商用。

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