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本发明提供一种VDMOS器件及其终端结构形成方法。本发明方法包括如下步骤：在衬底上形成外延层；在外延层上形成具有场限环注入窗口的场氧化层；注入离子，使离子通过所述场限环注入窗口进入外延层，形成场限环；形成多晶硅层，经光刻刻蚀在终端区形成多晶...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。