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本发明涉及一种大面积硅旁路二极管的制备方法，包括在衬底一面进行硼扩散形成硼扩散层、衬底另一面制出氧化环，在氧化环内衬底的裸露面上进行磷扩散形成磷扩散层；磷扩散层上制出上电极、硼扩散层上制出下电极，其特点是：在衬底和氧化环之间的衬底上扩散出一...该专利属于天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过天津恒电空间电源有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所授权不得商用。