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本发明公开了一种c面GaN材料应力沿c轴分布信息的测量方法，主要解决现有技术不能用x射线衍射仪获取应力沿c轴分布的信息的问题。其技术步骤是：将c面GaN材料水平放置于x射线衍射仪的载物台；依次对GaN材料中的(0002)晶面和(103)晶面...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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