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本发明属于光电集成以及光电探测技术领域，公开了一种硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构，包括：衬底、波导、上包层和探测器；衬底为硅衬底，其上形成波导，波导上形成上包层，上包层上通过去薄形成凹陷，凹陷内形成波导本体电极，探测器光敏面使用导光树...该专利属于中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所授权不得商用。