温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型公开一种台面结构的10G PIN光电探测器芯片，包括：衬底、形成于衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的吸收层、形成于吸收层上的顶层、形成于顶层上的有源区、形成于顶层上的接触层、形成于顶层上的第一复合钝化层、形成于衬底、缓冲层、吸收层、...
该专利属于深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。