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本发明提供一种在MOCVD机台中使用的InN/LT‑AlN复合应力释放缓冲层技术。应力释放层是在MOCVD材料生长中一种重要功能层，能实现良好的应力释放效果，改善外延片的翘曲度以及晶体质量，尤其在GaN‑On‑Silicon这种存在巨大的热...
该专利属于东莞市中镓半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中镓半导体科技有限公司授权不得商用。

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