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本发明描述了包括多层电荷储存层的半导体存储设备和形成该半导体存储设备的方法的实施例。一般，设备包括：由覆盖在衬底上的表面的半导体材料形成的沟道，该沟道连接存储设备的源极和漏极；覆盖沟道的隧道氧化物层；以及多层电荷储存层，其包括在隧道氧化物层...
该专利属于赛普拉斯半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过赛普拉斯半导体公司授权不得商用。

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