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本发明涉及非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法。一种非对称场效应晶体管(FET)器件，包括：半导体衬底；被设置在所述半导体衬底上的掩埋氧化物层；被设置在所述掩埋氧化物层上的延伸的源极区；以及被设置在所述掩埋氧化物层上的漏极区。所述非对称...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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