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高压LED芯片及其制备方法，所述高压LED芯片包括衬底以及位于衬底表面上彼此相互绝缘独立的M个芯片，形成于每个芯片的P型氮化镓层上的反射层；覆盖所述每个芯片的外延层及反射层表面的绝缘层；P引线电极，N引线电极及PN引线连接电极；平坦化层覆盖...
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