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本实用新型提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n-InAlP限制层，(AlxGa1-...
该专利属于山西飞虹微纳米光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西飞虹微纳米光电科技有限公司授权不得商用。

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