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本发明涉及一种单晶硅生长炉刚支撑电极，所述支撑电极从上至下依次包括加热器1、电绝缘段2、热绝缘段3，所述热绝缘段3的下部开设金属电极孔，且外部增设了保温层4。所述电绝缘段2采用耐高温电绝缘材料氮化硼、石英，所述热绝缘段3采用耐高温且热导率较...
该专利属于侯小伟所有，仅供学习研究参考，未经过侯小伟授权不得商用。

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