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提供了一种通/断比高的变阻型存储装置。根据一个实施方的变阻型存储装置包括：第一电极，包含第一元素；电阻变化层，设置于所述第一电极上，包含所述第一元素的氧化物；氧传导层，设置于所述电阻变化层上，包含第二元素和氧，具有氧离子传导性，并且其相对介...该专利属于国立大学法人东京工业大学;东芝高新材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过国立大学法人东京工业大学;东芝高新材料公司授权不得商用。