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本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法，包括有以下步骤：1)素胚的成型；2)膜层的涂覆；3)烧结。本发明的有益效果在于：本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点，制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化...
该专利属于武汉工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉工程大学授权不得商用。

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