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本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件，而没有一种相对可靠的增强型器件的问题，提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管，其技术方案可概括为：与现有的GaN MIS-HFET器件相比，本...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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