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本发明提出了一种薄膜衰减片的制作方法，包括以下步骤：采用真空溅射的方法实现介质基材表面金属化；采用光刻工艺形成衰减片图形；电镀高纯软金，加厚导体电路；通过加热的办法对整片衰减片电路进行热氧化调阻；使用光刻胶在衰减片的抗击打部位定义出电镀图形...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十一研究所授权不得商用。

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