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电场间隙器件与制造方法技术
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文档序号:10862908
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本发明提供一种形成电场间隙器件的方法,例如横向场致发射ESD保护结构,其中在介电层之间形成有阴极层。形成有阳极沟道,并衬有牺牲介电层。在阳极沟道内形成有导电的阳极柱,随后阳极柱附近的牺牲介电层被蚀刻掉。刻蚀留下了阴极层的悬空部分,其定义了至...
该专利属于恩智浦有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过恩智浦有限公司授权不得商用。
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