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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。功率半导体器件包括半导体本体，半导体本体具有横向相互相邻的有源区域和高压外围区域，高压外围区域横向围绕有源区域。该器件进一步包括：金属化层，在半导体本体的正面上并且连接至有源区域；第一阻挡层，包括高熔...
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