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在用于制造半传导的功能层的表面上的单晶金属-半导体-复合的方法中首先将包含金属的储备层涂覆在功能层上。接着通过退火触发金属与功能层的反应。根据本发明，储备层最迟在从功能层的表面起5nm的层厚度的情况下结束，或储备层最迟在这个层厚度的情况下转...
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