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本实用新型涉及一种可使被控功率控制器件（MOSFET或IGBT）的开通和关断时间较短，驱动电流足够大的功率控制用驱动电路。其包括：驱动电路前级，用于根据外部送入的PWM信号或逻辑信号控制其电压输出端的输出电压；N-MOSFET，其栅极接驱动...
该专利属于唐险峰所有，仅供学习研究参考，未经过唐险峰授权不得商用。

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