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本发明公开一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法,该方法包含以下步骤:1、检测反应腔等离子体电压;2、求前后两秒之间反应腔等离子体电压的差值;3、绘制并实时显示每片晶圆工艺过程中的反应腔等离子体电压差值跟踪图;4、判断反应腔等离子体电压每间隔两...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种偶极环磁铁反应腔电弧的监测方法,该方法包含以下步骤:1、检测反应腔等离子体电压;2、求前后两秒之间反应腔等离子体电压的差值;3、绘制并实时显示每片晶圆工艺过程中的反应腔等离子体电压差值跟踪图;4、判断反应腔等离子体电压每间隔两...