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提供了一种静电放电晶体管及其静电放电保护电路。该静电放电晶体管包括：设置在基底的表面上的集电极区；垂直地设置在集电极区下方的下沉区；以及在下沉区之下比下沉区水平地突出更远的埋层。...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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