下载制造二极管的方法的技术资料

文档序号:10821210

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本发明公开了一种制造二极管的方法,其中处理晶片以产生掺杂层结构。该晶片掺杂有n-杂质并且具有前表面和背表面。该方法包括:在前表面上形成阳极;研磨背表面以减小晶片的厚度;利用n+杂质对背表面进行掺杂并且通过激光退火活化n+杂质以形成阴极层;穿...
该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司;丹耐克斯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过株洲南车时代电气股份有限公司;丹耐克斯半导体有限公司授权不得商用。

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