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本发明涉及一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片，其层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）...
该专利属于义乌市运拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过义乌市运拓光电科技有限公司授权不得商用。

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