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本发明涉及一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)...该专利属于义乌市运拓光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过义乌市运拓光电科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种高光效、低光衰以及高封装良率LED芯片,其层结构依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、N型层(3)、N型分别限制层(4)、发光区层(5)、P型分别限制层(6)、P型层(7)、P型欧姆接触层(8)、光穿透层(9)、二氧化硅层(10)...