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本发明提供一种发光二极管芯片及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层，形成外延片；在外延片上，由上至下，去除部分区域的P型氮化镓层和发光层，直至暴露出N型氮化镓层，并设置N焊盘；在剩余区域的P型氮化镓...
该专利属于圆融光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过圆融光电科技有限公司授权不得商用。

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