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本实用新型提供一种无衬底LED芯片的电极结构，包括N型半导体层，层叠于N型半导体层上的发光层和层叠于发光层上的P型半导体层，N型半导体层和P型半导体层两侧的面为芯片的出光面，位于出光面侧边的其余面为芯片的侧面，与N型半导体层电接触的N型电极...
该专利属于李媛所有，仅供学习研究参考，未经过李媛授权不得商用。

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