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一种栅极的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅层；在栅宽方向上对所述多晶硅层进行第一刻蚀，在栅长方向上对所述多晶硅层进行第二刻蚀，第一刻蚀和第二刻蚀后形成栅极；所述第二刻蚀包括：在所述多晶硅层上形成具有窗口的光刻胶，所述窗口暴露...
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