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本发明公开了一种压阻式高过载压力传感器及制造方法，涉及压阻式压力传感器领域，它解决了测量时存在的过载能力差、体积大、可靠性差的缺点。该压阻式高过载压力传感器从上至下由玻璃-硅-玻璃三层结构键合而成，中间主芯片层划分为抗过载区和传感区，敏感电...
该专利属于无锡壹资半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡壹资半导体科技有限公司授权不得商用。

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