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本发明提供一种PMOS晶体管及其制作方法。为了提高对沟道施加的压应力，本发明在源/漏区的sigma形凹槽内填入硅锗材质时，使得硅锗材质的表面高于硅衬底表面以增加硅锗材质的填充量；此外，在半导体工艺中，一片晶圆除了制作PMOS晶体管，在其它区...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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