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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、低k介电层、缓冲层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层中形成第一开口，以露出所述缓冲层；在所述缓冲层和所述低k介电层中形成第二开口；执行两次一体化刻蚀以在...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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