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本发明提供一种高能量离子注入装置，通过电场对高能量的离子束进行扫描、平行化及过滤。本发明的高能量离子注入装置(100)具备：高能量多段直线加速单元(14)，对离子束进行加速而生成高能量离子束；偏转单元(16)，将高能量离子束朝向半导体晶片进...
该专利属于斯伊恩股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯伊恩股份有限公司授权不得商用。

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