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本发明公开了一种增强型MIS结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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