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本发明公开了一种半导体器件中深槽的填充方法，包括下列步骤：对硅衬底进行刻蚀，形成沟槽结构；在沟槽结构的底部和侧壁淀积第一氧化层；在所述第一氧化层表面淀积非晶硅层；在所述非晶硅层表面淀积第二氧化层。本发明还公开了一种半导体器件中深槽的填充结构...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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