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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、P型GaN层，有源层为交替生长的InGaN层和GaN层，外延片还包括超晶格GaN层...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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