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本发明公开了一种深通孔电阻的测试结构，包括：四个位于衬底埋层两侧穿通隔离层连接衬底埋层的深通孔，介电质隔离硅片表面与第一层金，所述各深通孔通过第一层金属连接测试结构至测试焊点，形成六各测试端口分别连接激励线、激励线、检测线、检测线、检测线和...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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